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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 47
    周辺 40% 低遅延
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2308

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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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