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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 62
    周辺 55% 低遅延
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.0 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 1808

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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
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メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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メモリRAM
Kingston KF560C40-16 16GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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