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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

総合得点
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB 考慮すべき理由
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.5
    テスト平均値
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 54
    周辺 -184% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 1,781.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    4,269.3 left arrow 19.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,781.8 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    618 left arrow 3435

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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
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