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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

総合得点
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

総合得点
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB 考慮すべき理由
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 31
    周辺 -55% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 19.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1990 left arrow 2939

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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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