RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
比較する
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
18.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
46
周辺 -70% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
17.7
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
27
読み出し速度、GB/s
5,535.6
18.3
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
17.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
3956
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link