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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

総合得点
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

総合得点
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Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 15.9
    テスト平均値
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB 考慮すべき理由
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 46
    周辺 -53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 1,852.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    5,535.6 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,852.4 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 2989

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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
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メモリRAM
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Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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