RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 19.8
    テスト平均値
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 -64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 1,852.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    5,535.6 left arrow 19.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,852.4 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 3650

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
メモリRAM