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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB

総合得点
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

総合得点
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 97
    周辺 48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.5
    テスト平均値
Kingston KGTWW1-MIE 4GB 考慮すべき理由
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.7 left arrow 1,457.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 97
  • 読み出し速度、GB/s
    3,757.3 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,457.4 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    557 left arrow 1479

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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