RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

総合得点
star star star star star
Super Talent F3200UA8G 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 58
    周辺 14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.9
    テスト平均値
Super Talent F3200UA8G 8GB 考慮すべき理由
Super Talent F3200UA8G 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,457.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    3,757.3 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,457.4 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    557 left arrow 2250

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAMの比較

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Super Talent F3200UA8G 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
メモリRAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
メモリRAM