TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

総合得点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

相違点仕様コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 17.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

870.4 13.9

テスト平均値

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 87

周辺 -190% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

87 30
読み出し速度、GB/s

3,155.6 17.6
書き込み速度、GB/秒

870.4 13.9
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

417 3473

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

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Kingston 9905633-017.A00G 8GB

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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

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Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

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