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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 9.2
    テスト平均値
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    85 left arrow 87
    周辺 -2% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 85
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 1838

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston KF560C40-16 16GB
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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