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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
20.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
53
周辺 -194% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
18
読み出し速度、GB/s
3,726.4
20.3
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
14.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3431
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB RAMの比較
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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