RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.4
    テスト平均値
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 53
    周辺 -43% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2765

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
メモリRAM
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
メモリRAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
メモリRAM