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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

総合得点
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    53 left arrow 54
    周辺 2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 10.8
    テスト平均値
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2277

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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