RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 53
    周辺 -77% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 6400
    周辺 3.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2709

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
メモリRAM