RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.7
    テスト平均値
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 53
    周辺 -130% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.9 left arrow 1,590.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,726.4 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,590.1 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    522 left arrow 2231

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
メモリRAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
メモリRAM