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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB

総合得点
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB 考慮すべき理由
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 36
    周辺 19% 低遅延
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 10.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    10.5 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.2 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1780 left arrow 2489

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
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メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8KQB 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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