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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB

総合得点
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

総合得点
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

V-GEN D4H4GS24A8 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    92 left arrow 94
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    94 left arrow 92
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1506 left arrow 1640

V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAMの比較

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Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston K821PJ-MID 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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OCZ OCZ2SI8002G 2GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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