RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1677
3693
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6BFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link