RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3579
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link