RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
40
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
20
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3473
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link