RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2938
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link