RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
94
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
37
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link