RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
94
Wokół strony -203% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
31
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3509
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link