RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
94
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
41
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2870
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link