RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3460
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link