RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
94
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
33
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2918
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link