RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
94
Wokół strony -327% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3222
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link