RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3717
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link