RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
94
Wokół strony -276% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
25
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
4174
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link