RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
94
Wokół strony -276% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
25
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3377
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link