RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
94
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
33
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3286
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link