RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
94
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
30
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3310
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link