RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
94
Wokół strony -203% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
31
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1763
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link