RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
94
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
55
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2078
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link