RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
70
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
70
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
1971
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link