RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3246
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link