RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3060
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link