RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
42
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3126
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link