RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,343.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,135.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,343.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
843
3171
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link