RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
3178
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link