RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
1897
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link