RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
36
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2771
3044
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link