RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Kingston K821PJ-MID 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
41
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2771
2338
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link