RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
54
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2771
2938
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link