RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2137
2808
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link