RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
3169
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link