RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
4129
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link