RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
56
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2382
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link