RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
66
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
61
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2028
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link